半導体大手のキオクシア（旧東芝メモリ）は31日、112層の記憶素子を積層したフラッシュメモリーを
試作したと発表した。回路技術などを最適化して、現行の96層品に比べ単位面積あたりの記憶容量を
約20%向上した。協業先の米ウエスタンデジタル（WD）と共同開発した。
試作品の容量は512ギガ（ギガは10億）ビットで、1つの記憶素子に3ビットを記録する。
キオクシアは3月までにサンプル出荷を開始する予定。WDは量産時期について「2020年の後半を
予定している」と発表した。両社が共同運営する四日市工場（三重県四日市市）や
北上工場（岩手県北上市）で生産する。
調査会社などによると、キオクシアとWDはフラッシュメモリーの世界シェアで2位、3位を占める。
首位の韓国サムスン電子は、記憶素子を100層以上積層した製品の量産を19年6月に始めたと
発表している。
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キオクシア：第5世代3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASHTM」の開発について | Business Wire
https://www.businesswire.com/news/home/20200130005352/ja/
2020/1/31 15:28
日本経済新聞
https://www.nikkei.com/article/DGXMZO55084290R30C20A1X20000/