3次元化するサブナノメートル時代のCMOSロジック
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1547913.html

半導体のことがちょこちょこ出てたんでそういう記事。
NFETとPFETを三次元積層したCFETは難易度高いが本命。
あとこの記事では触れられてないがForksheet-FETというのも提案されてる。
GAA(Nanosheet)-FETの中央に絶縁膜を貼ることでNFETとPFETを構成する。

ラピダスはIBMが熱心に開発しているGAA(Nanosheet)-FETをまずは導入。
※SamsungのGAA-FETも基本的にはIBMのがベースでそれの発展系。
その後に経産省肝いりのCFET、CFET研究の進行具合によってはImecの推すForksheet-FETがリリーフだとおも。
2025年にパイロットライン、2020年代後半に量産製造ライン立ち上げ予定。