>>81の
>P型半導体とN型半導体の境界部分で、自由電子が真空偏極によって正孔の中央部に
>発生している負の電荷を持った仮想電子群に対してクーロン斥力が働いて急制動して
という事だと、P型半導体とN型半導体の境界部分でだけ電子の急制動が起きる説明が
簡単に見つからなかったが、無学の賃プロが無い知恵を絞って考えた事だから許せ