H1の方の浮上方式は、インダクトラック方式の特許に触れない形の一般的なうず電流方式なんだろう。H1では 今迄浮上方式の詳細は説明された事がない。
でもインダクトラック方式と言っても、コイルを使えば一般的なものだし、薄膜を使うのは単にコイルを薄膜にしただけみたいなものだから、特殊なものでもない。
US特許もこれをハルバッハ配列と共にマグレブに使うと言う応用特許みたいだ。
これが、インダクトラック方式のアメリカ特許
http://patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/US6758146.pdf
http://i.imgur.com/dFMk7kT.jpg
一般的な電磁誘導型薄膜チップはTDKなどから市販されている。特許もいろいろ出てる。
日本では薄膜永久磁石すら開発されている。
磁石のハルバッハ配列は、今では一般的な配列で冷蔵庫の入り口の磁石などがこの配列らしい。
発電機などにも使われている。 日本での特許出願も応用を中心に沢山出されている。
リニアモーターカーの車両にハルバッハ配列を組み込んだシステムも日本で特許出願されてる。
いずれにしろ、日本では浮上高10cmと言う高い壁があるから通常の永久磁石では達成できないだろうなと思ったが、
理論的にはネオジム磁石で1.2Tまで行くらしい。もしそんなものが作れてハルバッハ配列にすれば浮上高10cmも不可能ではないかもしれない。
が、何かがくっ付いたら取れないぞ。
