ntelの10nmなんだがボトム層M0/M1のコバルト配線による遅延の影響という話出て来た
かなり洒落になんない
コバルト配線がやっぱ駄目だったわとなると
10nmのみならずその先のプロセスにも大きな影響を与える可能性が高い

何故銅からコバルトに変えるかは、電流密度の増大が許容できなくなっているのと
（32nmらへんから言われてて最近のプロセスではライナー層でケアしてる）
銅の超微細配線での電気抵抗が大きくなりすぎしまう為
銅とコバルトの電気抵抗的におかしいだろと感じる方も多いと思うが
ライナー層による実質的な配線の狭さと銅の自由電子散乱の大きさによりそうなる（と予想される）
GFの7nmはライナー層コバルトの銅配線で行くらしく、
銅での配線抵抗を減らすためレーザー加熱処理による結晶粒の成長なども研究されてる
あとTSMCは不明だけどIntelとGFのコンタクトはタングステンからコバルトに変わる