現在日本が国策として力を入れている半導体は
酸化ガリウム　Ba2O3
「窒化ガリウムじゃなくて酸化ガリウム？ただの酸化物が半導体になるの？」
みんな思うかもしれないが
https://image.itmedia.co.jp/ee/articles/1402/27/l_tt140227NICT001.jpg
バンドギャップ(eV)
Si 1.1
SiC 3.3
GaN 3.4
Ba2O4.8

電子移動度(cm2/Vs)
Si 1400
SiC 1000
GaN 1200
Ba2O3 300

バリガ性能指数(同じ耐圧条件でのオン抵抗を逆数にしたものをSiを1としてあらわした指数。これが大きいほどオン抵抗が小さい )
Si 1
SiC 340
GaN 870
Ba2O3 3444