>>53　試作は多分三菱だろうけど富士通の新素子か同程度の性能の素子を使ってほしいね。
酸化ガリウム素子が間に合えばよいけどな。　何社か作っている。

世界を一変させる日本発、画期的半導体
京都大学初のベンチャー、酸化ガリウムの新技術
2019.2.18
https://jbpress.ismedia.jp/articles/-/55502
　シリコンに対する半導体物質の性能を現す数値として、バリガ性能指数がよく用いられている。
この数値、シリコンが1、シリコンをしのぐ省エネを実現する炭化ケイ素が340、窒化ガリウムが870である。
それに対し、酸化ガリウムのバリガ性能指数は何と3444である。

酸化ガリウムではP型半導体が作れなかったのだ。
　ところが、フロスフィアは酸化イリジウムを使ってP型層を作ることにも成功したのである。
酸化ガリウムのトランジスタを作れるようになったのだ。
三菱重工やデンソーなどの大手企業も出資者に名を連ねる。

世界初、イオン注入ドーピング技術を用いた縦型酸化ガリウムパワー半導体開発に成功
―デバイス開発本格化による省エネルギー社会実現に期待―
2018年12月12日
https://www.nedo.go.jp/news/press/AA5_101046.html
NEDOが管理法人を務める内閣府プロジェクト「戦略的イノベーション創造プログラム（SIP）／次世代パワーエレクトロニクス」で、情報通信研究機構（NICT）と東京農工大学は、
世界で初めて、イオン注入ドーピング技術を用いた縦型酸化ガリウム（Ga2O3）パワー半導体（トランジスタ）の開発に成功しました。

（1）イオン注入ドーピング技術の適用
世界で初めて、半導体のn型およびp型※7両層をイオン注入ドーピング技術で形成した、縦型Ga2O3トランジスタの製造（図1）、動作実証に成功しました（図2）。

高品質β型酸化ガリウム膜形成技術の開発に成功
?酸化ガリウムパワーデバイスの大電流化に目処?
2019/04/18　株式会社ノベルクリスタルテクノロジー　国立大学法人佐賀大学　株式会社タムラ製作所
https://www.tamura-ss.co.jp/jp/whatsnew/2019/20190418.html