>>52　三菱も同じような物を作った。

世界初、単結晶ダイヤモンド基板を用いたマルチセル構造のGaN-HEMTを開発
―移動体通信基地局や衛星通信システムの低消費電力化に貢献―
2019年9月2日
https://www.nedo.go.jp/news/press/AA5_101185.html
NEDOは、三菱電機（株）、産業技術総合研究所と共同で、高い熱伝導率を持つ単結晶ダイヤモンドを放熱基板に用いたマルチセル構造の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ（GaN-HEMT）を世界で初めて開発しました。

放熱性の高い単結晶ダイヤモンドを放熱基板に用いて、マルチセル構造のGaN-HEMTを作製したことは、世界初です。

シリコン基板を放熱機材に用いた場合と比較して、GaN-HEMTの最大温度を211.1℃から35.7℃に低減でき、トランジスタ当たりの出力が2.8W/mmから3.1W/mmに増加、電力効率が55.6％から65.2％に向上し、移動体通信基地局や衛星通信システムの低消費電力化に大きく貢献します。


三菱電機が2025年の量産化目指す：
ダイヤモンド基板で放熱性を大幅に向上したGaN-HEMT
2019年09月03日
https://eetimes.jp/ee/articles/1909/03/news034.html
https://image.itmedia.co.jp/ee/articles/1909/03/l_mm190903mitsu9a.jpg
現在真空電子管が使われているアプリケーションにおいて、GaN-HEMTへの置き換えを狙うことも可能になるだろう