>>396
＞　今回、GaN HEMTが破壊されない低温（約650℃）において、
＞GaN HEMTの表面に放熱性の高いダイヤモンド膜を形成する技術を開発し、
＞動作時の発熱量を40%低減することに成功しました。これにより冷却装置の簡素化を実現し、
＞GaN HEMTを利用したレーダーシステムの小型化が可能となります。

ぜひ、F-3のAESAレーダーとして採用を！（無理か