>>814
読み直して欲しい、そういう話ではない。
GaAsも同様の手法をとれば熱破壊の限界は上がるのでは?
更に優れた素子に注力すべきで、やる値打ちがないからやらないだろうがw
俺の主張したいのは同じ電力でドライブしても、GaNはGaAsより電波出力が現状でも5倍くらい上がるということで、
”機体の供給電力の限界でGaN素子の優位性がなくなる” という間違った主張に対する指摘だよ。
俺もF-3の頃には原理的に優位なGaNはさらに進化している考えるのが妥当だと書いている。
韓国KFX次期ステルス戦闘機 Part26
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821名無し三等兵 (ワッチョイ 9d5f-PDgx)
2020/07/21(火) 13:18:18.96ID:aJq08TOl0■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています
