>>374
加速Gに対応する様に電子部品の集積化率を最適化する必要があって、それ次第で変わるけど最大100M〜300MPa掛かる可能性ある
シリコンは100MくらいなのでGPaオーダーのSiCやダイヤを考える必要があってかつ、高速スイッチングのためにリーク電流を追い込んだ設計は厳しく、高性能半導体の材料で一般的な処理能力を作る事にはなりそう
それと加速方向に面積広く大きくなる
あとは遠心機に付けてみるなど試験設備も整える必要ある
個人的に誘導するのはダイヤモンド半導体の実用化待ってからでもいいとは思う