>>1乙

スゲー、ナノインプリントで１．４ナノに成功だと。
DNPは半導体用ナノインプリントテンプレート上で10 nmのラインパターン分解能を達成
ttps://www.techpowerup.com/343847/dnp-achieves-10-nm-line-pattern-resolution-on-nanoimprint-template-for-semiconductors
＞新しいテンプレートは、1.4nm世代に相当する論理半導体のパターニングが可能。
現行EUVプロセスの約10分の1まで消費電力を削減することが可能となっています。
2027年の量産開始を目指しています。

大日本印刷によってナノインプリントでもHiNA-EUVの１．４ナノ相当の物理配線１０ナノが作れるようになったらしい。
EUVの一部を置き換える目的で使うそうな。しかも量産が２７年。