USBメモリについて語るスレ、ついでにベンチマーク結果を教えてね
ケーブルで接続する外付けSSDや、公式でUSBメモリ類と明記されていない製品はスレ違いです
■まとめ
USB3.0メモリまとめ (47本目544さん作成) ベンチマークファイル 旧製品のみ
http://phase.s214.xrea.com/
USBメモリ まとめHTML (13本目733さん作成) 旧製品のみ
http://usbmem.heriet.info/html/
■価格は自分で調べろ
価格.com
https://kakaku.com/pc/usb-memory/
■前スレ
USBメモリ 73本目
https://itest.5ch.net/mevius/test/read.cgi/hard/1685567703
探検
USBメモリ 74本目
■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています
2024/03/16(土) 10:57:47.19ID:QHsfDLf8
2024/03/16(土) 10:58:17.45ID:QHsfDLf8
■ベンチマーク
★CrystalDiskMark 3/4/5/6/7/8
http://crystalmark.info/software/CrystalDiskMark/
※計測時のデータサイズは1000MBの5サイクルが主流、Ver3の512MB計測も重要
★◆phase.xReA氏のテストファイル
http://phase.s214.xrea.com/
※書き込み/USBメモリ内複製/削除時間を計測
★その他ベンチマーク
ATTO Disk Benchmark : https://www.atto.com/disk-benchmark/
CopySpdBench : http://d.hatena.ne.jp/Lansen/comment/20081003
TxBench : http://www.texim.jp/txbench.html
■エラーチェックツール
Check Flash : http://mikelab.kiev.ua/index_en.php
H2testw : http://www.heise.de/software/download/h2testw/50539
HDD-SCAN : http://www.hdd-data.jp/
■デバイス情報取得ツール
ChipGenius(中国語) : http://www.usbdev.ru/files/chipgenius/
USBDeview : http://www.nirsoft.net/utils/usb_devices_view.html
★CrystalDiskMark 3/4/5/6/7/8
http://crystalmark.info/software/CrystalDiskMark/
※計測時のデータサイズは1000MBの5サイクルが主流、Ver3の512MB計測も重要
★◆phase.xReA氏のテストファイル
http://phase.s214.xrea.com/
※書き込み/USBメモリ内複製/削除時間を計測
★その他ベンチマーク
ATTO Disk Benchmark : https://www.atto.com/disk-benchmark/
CopySpdBench : http://d.hatena.ne.jp/Lansen/comment/20081003
TxBench : http://www.texim.jp/txbench.html
■エラーチェックツール
Check Flash : http://mikelab.kiev.ua/index_en.php
H2testw : http://www.heise.de/software/download/h2testw/50539
HDD-SCAN : http://www.hdd-data.jp/
■デバイス情報取得ツール
ChipGenius(中国語) : http://www.usbdev.ru/files/chipgenius/
USBDeview : http://www.nirsoft.net/utils/usb_devices_view.html
2024/03/16(土) 10:58:43.26ID:QHsfDLf8
■NANDフラッシュメモリの種類及び特性
書き込みは電子を超高電圧を付加し、絶縁構造部を通過させる為、寿命は有限である
読み込みでは基本劣化しない、電子(電荷)は抜けるので定期的なリフレッシュが必要
※SLC 1セル1bit、書換可能回数は2D 2xnm@6万回
長所 : 高速、高信頼性、長寿命
短所 : 高価、低容量
□応用技術:pSLC 1セル1bitの"疑似"SLC、書き換え可能回数は2~6万回
※MLC(TLC) 1セル2bit(3bit)、書換可能回数は1xnm@3千回(1xnm@数百回)
長所 : 大容量、低価格
短所 : 中速(低速)、中信頼性BCH-ECC推奨(低信頼性LDPC-ECC推奨)
※MLC 3D NAND(TLC/QLC) 1セル2bit(3bit/4bit)、書換可能回数は数千回(3千回/数百回など)
長所 : 超大容量、低価格、低消費電力、速度と書き込み耐性に優れる
短所 : 2D製品と比較して電荷が変化しやすい特徴がある
※フラッシュメモリの仕組み
http://www.kyoto-sr.co.jp/products/fugue/techinfo/if-intro.html
書き込みは電子を超高電圧を付加し、絶縁構造部を通過させる為、寿命は有限である
読み込みでは基本劣化しない、電子(電荷)は抜けるので定期的なリフレッシュが必要
※SLC 1セル1bit、書換可能回数は2D 2xnm@6万回
長所 : 高速、高信頼性、長寿命
短所 : 高価、低容量
□応用技術:pSLC 1セル1bitの"疑似"SLC、書き換え可能回数は2~6万回
※MLC(TLC) 1セル2bit(3bit)、書換可能回数は1xnm@3千回(1xnm@数百回)
長所 : 大容量、低価格
短所 : 中速(低速)、中信頼性BCH-ECC推奨(低信頼性LDPC-ECC推奨)
※MLC 3D NAND(TLC/QLC) 1セル2bit(3bit/4bit)、書換可能回数は数千回(3千回/数百回など)
長所 : 超大容量、低価格、低消費電力、速度と書き込み耐性に優れる
短所 : 2D製品と比較して電荷が変化しやすい特徴がある
※フラッシュメモリの仕組み
http://www.kyoto-sr.co.jp/products/fugue/techinfo/if-intro.html
2024/03/16(土) 19:02:35.20ID:ev4SrrjR
乙◎
2024/03/17(日) 12:43:32.19ID:ltX3UmhF
2005年頃Cruiser mini1GBを1万円で買ったけど今は1GBなんて売ってすらない
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