https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1165543.html
本コラムでご報告したように、EUV露光技術は7nm世代の半導体ロジックから、
量産への導入がはじまった(EUV露光による先端ロジックと先端DRAMの量産がついにはじまる参照)。
そして将来の5nm世代と3nm世代の半導体ロジックまでは、7nm世代で量産適用された
「現行世代」のEUV露光技術を改良することによって、微細化を継続する見通しが
立ちつつある(見えてきた7nm以降の量産用EUV露光技術参照)。
一方、「現行世代」のEUV露光技術では3nm世代の半導体ロジックが、微細化の限界になると見られている。
3nm世代から2nm世代、さらにはその先の1.4nm世代は、「次世代」のEUV露光技術が牽引することになる。


1.4nm！
現行の14nmの1/10である
集積度だと100倍
現行の8コア規模のサイズで800コアを載せられる