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お疲れ様です。

前スレで炭素による半導体高速化が触れられていたので。

シリコンから炭素（カーボンナノチューブ）にすると抵抗率が下がる。
抵抗率が下がると電子や正孔（キャリア）の移動度が向上する。
キャリアの速度は電界強度に比例し比例係数は先の移動度となる。
なので炭素を使うことでキャリア速度は10倍程度高速化されると見られている。
他にも良好な耐熱性と熱伝導を生かした意図的な高温化による移動度向上など様々な要素があるが、
基本的にはこの抵抗の低さがシリコンの次として炭素が本命視されている理由。
クロック向上はこうした抜本的対策以外の方法として、
パイプラインや経路の多段化・レイアウトの見直しといった地道な作業が行われている。
意外なほど単純。