>>114
>> 最初に高電圧で絶縁が破壊される理由が論点だ。
じゃあ俺が提示したサイトを含む様々なサイトで熱に関する言及が一切ないのはなぜ？
熱で破壊されるって根拠を示してよ
https://www.google.com/url?sa=t&;source=web&rct=j&url=http://fhirose.yz.yamagata-u.ac.jp/img/pn5.pdf&;ved=2ahUKEwjS9oLqvOjqAhUDa94KHYPUCpwQFjAEegQIBhAC&usg=AOvVaw38gGL7k3Xr5MjHPUl5uvHf
↑p42により詳しく高電圧で半導体の絶縁が破壊される過程が書いてあるから読んでくれ
（ちなみに熱励起ってのは常温で起きる現象だから勘違いしないこと）

>>パナソニックの書いた　”理論上約３桁小さいオン抵抗が期待でき”　これは読めないのか？
すまない。人に資料ちゃんと読めって言っておいて自分がちゃんと読めていなかったわ。
だが、理論上の話こそ無意味だよ
何故ならドープ量によってオン抵抗と絶縁破壊電界強度はトレードオフの関係だからね
https://www.sicalliance.jp/page/page000083.html
抵抗が大きくて発電能力が足らないならドープ量を増やしてon抵抗を下げるし絶縁破壊電界強度が低くて電圧をかけれないならドープ量を減らすってだけ。
そんでもって通常GaAsのAESAは電力足りてるからGaNの主目的は絶縁破壊電界強度を高めることになる。
用途は違うが下記でもon抵抗をそこまで下げていない
https://industrial.panasonic.com/jp/products/semiconductors/powerics/ganpower
そして更に下記にもGaNを使う理由が電圧を高めるためと説明されている
https://www.analog.com/jp/analog-dialogue/articles/rf-power-amplifiers-go-wide-and-high.html#