>>168
お二人の議論、どっちも間違いが含まれているので・・・

絶縁破壊電界は材料により決まっているもので、オン抵抗とのトレードオフのいうものではない。
トレードオフの関係にあるのはオン抵抗と耐圧。

あと破壊電界というから誤解しているかもしれないが、一般的な意味での破壊する電界という意味ではない。
アバランシェが発生する電界であり、それが即素子の破壊を意味する訳ではない（破壊しないと言っている訳ではないので誤解しないように）
アバランシェしても破壊するしないは、デバイス設計による

破壊メカニズムはいろいろあるが、最終的な原因は熱である。
絶縁破壊電界に達するとアバランシェ電流が発生し、それが熱を発生させる
その熱で素子の温度が上昇し、PN接合の障壁を維持できなくなり更に大電流は流れ破壊に至る。