>>168
オン抵抗の比較をしているが、”3桁低いオン抵抗が期待でき”のオン抵抗はRonAのことである。
Aは素子の有効面積
素子サイズにより製品のオン抵抗（Ron）は違う。
だからSiでも素子サイズを大きくすれば、抵抗自体は低くできる。
ただしあまりにも大きなチップは、コスト的にも、PKG搭載的にも現実的ではなくなるし、トレードオフとしてSW損失は大きくなる。

〉抵抗が大きくて発電能力が足らないならドープ量を増やしてon抵抗を下げるし絶縁破壊電界強度が低くて電圧をかけれないならドープ量を減らすってだけ。
絶縁破壊電界強度は材料により決定されている。
ドープ量でコントロールできるのは耐圧（絶縁破壊電圧）
発電能力ではなく電流能力

>GaAsのAESAは電力足りてるからGaNの主目的は絶縁破壊電界強度を高めることになる。
電力が足りている？　足りる足りないは用途によるもの
GaNの主目的は絶縁破壊電界強度？
目的は出力パワーを上昇させることであり、その手段として絶縁破壊電界強度の大きいGaNを使う