>>168
> じゃあ俺が提示したサイトを含む様々なサイトで熱に関する言及が一切ないのはなぜ？
> 熱で破壊されるって根拠を示してよ
> https://www.google.com/url?sa=t&;source=web&rct=j&url=http://fhirose.yz.yamagata-u.ac.jp/img/pn5.pdf&;ved=2ahUKEwjS9oLqvOjqAhUDa94KHYPUCpwQFjAEegQIBhAC&usg=AOvVaw38gGL7k3Xr5MjHPUl5uvHf
> ↑p42により詳しく高電圧で半導体の絶縁が破壊される過程が書いてあるから読んでくれ
> （ちなみに熱励起ってのは常温で起きる現象だから勘違いしないこと）

絶縁破壊については、過剰電圧による放電とか熱以外の原因も考えられる。
だが、MOS-FET（似た特性の半導体も）は熱により抵抗値が上がり、アンテナと直列の半導体が分圧比で電圧が上がるのは計算から明らかだと思う。
一般敵なトランジスタやダイオードではこれは逆で並列化もできない。
破壊メカニズムついては、正直、俺にはよくわからない。

しかし、絶縁破壊強度と低オン抵抗による発熱低下（3桁）でどちらが向上の主因かは明らかでは？
これは絶縁破壊がなくとも熱で半導体が破壊されるのは理解している前提の話ではあるが。

君はGaNの好特性の主因に”ダイヤモンド基板の放熱性”云々と書いた人ではないのか？
俺は同じ人で熱破壊が素子限界だと理解している上での議論だと思って書いていた。
君の考えるように俺は絶縁破壊と熱破壊とごっちゃにして書いたレスもあったと思う。