>>267
失礼、俺がうっかりしていた。
同抵抗で電圧が上がれば電流も上がる電力は電圧と電流の積なので、5倍の電圧は25倍の出力を意味する。
ただし、5倍の電圧は実現しても現状で出力が25倍の素子が難しいのは熱がボトルネックという事は理解して貰えると思う。

第一世代のGaNで物性的に5倍の電圧なのに出力は三倍程度なのでここらへんが熱的限界なのだろう。
GaAsから第一世代のGaNに変更した場合は出力増加分に近い供給電力は必要になるだろう。
だから、俺の前スレの計算は取り消します。
それ以降のGaNは熱破壊との戦いで、性能向上は低発熱化か放熱性向上しか無い。
俺の前スレの効率計算は低発熱化分のみの計算だった。