>>279
ここはKFXスレだから当然半導体の特性そのものよりもそれが戦闘機用レーダーにどう関係するかが重要だよ

>>314
何度も説明するが電圧をかけられないのは熱により破壊される訳ではなく耐圧（絶縁破壊電界強度と以前は混同していた）を超えた時点で絶縁性がなくなるからだ
半導体の絶縁性がなくなったらただの導体だから当然熱で破壊されようがされなかろうがその時点で役に立たなくなる
勿論出力が増えれば熱自体は増えるから冷却がどうのこうのっていう話もあるが電圧をかけれるかけれないの話の中で熱は主要因ではない

https://www.analog.com/jp/analog-dialogue/articles/rf-power-amplifiers-go-wide-and-high.html#
再度引用する
"GaN なら 28 V まで高めることができます。したがって、GaAs デバイスを GaN デバイスに置き換えれば、出力パワーを 0.25 W から 8 W 弱にまで向上させることが可能です。"
30倍が主要因ではないと思うのか？
そして上記はパワーアンプ用途のＧaNが優れていることを説明する文脈でon抵抗には言及されていない

レーダー性能（または類似目的）を上げるためにはon抵抗が重要ということを示すソースをくれ