>>399 そんなのは山のようにあるだろ。

防衛装備庁、新戦闘機「F-3」用AESAレーダーを公開
by 松尾 芳郎 • 2018年12月18日
http://tokyoexpress.info/2018/12/18/%E9%98%B2%E8%A1%9B%E8%A3%85%E5%82%99%E5%BA%81%E3%80%81%E6%96%B0%E6%88%A6%E9%97%98%E6%A9%9F%E3%80%8Cf-3%E3%80%8D%E7%94%A8aesa%E3%83%AC%E3%83%BC%E3%83%80%E3%83%BC%E3%82%92%E5%85%AC%E9%96%8B/

”GaAs”に比べ”GaN”半導体送受信素子は出力が3倍になる。

イージス艦用レーダー、日米が共同開発へ　 ―レーダー技術進歩の歴史―
2018年7月16日
http://tokyoexpress.info/2018/07/16/%E3%82%A4%E3%83%BC%E3%82%B8%E3%82%B9%E8%89%A6%E7%94%A8%E3%83%AC%E3%83%BC%E3%83%80%E3%83%BC%E3%80%81%E6%97%A5%E7%B1%B3%E3%81%8C%E5%85%B1%E5%90%8C%E9%96%8B%E7%99%BA%E3%81%B8%E3%80%80-%E3%83%AC/

従来のガリウム砒素(Ga-As)半導体素子製のレーダーに比べ探知距離が３倍程度に向上する。

ガリウム砒素[GaAs]半導体に比べ[GaN]半導体の[TR（送受信）素子]は出力が３倍程度になる。

https://eetimes.jp/ee/spv/1101/11/news103.html

　GaNは、Siはもちろん、比較的高性能のデバイスで主に材料として使われるGaAsと比べてもバンドギャップが大きい。具体的には、Siが1.1eVでGaAsが1.4eVなのに対し、GaNは3.4eVである。

このようにバンドギャップが大きいので、絶縁破壊電圧が高い。Siの0.3MV/cm、GaAsの0.4MV/cmに比べて、GaNは3MV/cmと桁違いだ。

さらにGaN材料は、飽和電子速度が高いという物性も備えている。GaNウエハーを供給する住友電気工業によれば、具体的にはSiが1.0×107cm/秒、GaAsが1.3×107cm/秒にとどまるのに対し、GaNは2.7×107cm/秒に達する。

高速（高周波数）動作に対応しやすい