>>232
>GaNはF-3用ハイパワーAESA
GaN + ダイヤモンド基板が、現在可能な最高の組み合わせ
・ダイヤモンド半導体　正攻法 (まだ1cm3ぐらいの結晶まで)
・マイクロTWT　古い技術を温故知新

ダイヤモンド高周波電力デバイス 嘉数 誠 (NTT物性科学基礎研究所)
検索ですぐでるのは、上のような、2010年の古い解説ですが、特に変化ないですね。
個人的には、最近になってInPをようやく使おうかなぁ　と相談中。