>>595
>もしGaNが素子数で出力差を補う形で
1/4波長内に多素子パックのGaNはF-3用の試作品で出ていますので、(a) それで行く案と、(b) TWTで攻撃兵器兼用の両方ですか。
ダイヤモンド基板での放熱で、4素子・8素子とパックした場合の熱限界もかなり緩和できるようですね。100W単素子リミットを8素子で400Wぐらいで実現できる？わけですね。