>>430
> 結局のところ熱を逃がすには機体容積と表面積が必要なので
> 小型機では処理能力の要件を下げないかぎりF-35と同じ問題が出るのでは
熱（ロス）の発生を抑えればいい
F-35のAN/APG-81はGaAsらしいので電力付加効率は、GaNの半分程度
www.analog.com/jp/resources/analog-dialogue/articles/rf-power-amplifiers-go-wide-and-high.html
には、同社の1WのGaAs素子は”電力付加効率（PAE: Power AddedEfficiency）の公称値は 25 %”とある
（図 1も興味深い、縦軸は対数スケール）
https://www.giho.mitsubishielectric.co.jp/giho/pdf/2008/0806108.pdf
の三菱のGaN－HEMT素子は60Wで電力付加効率50％以上
100Wを与えた場合
GaAsは、出力25ｗ、廃熱75ｗになり
GaNなら、出力50ｗ、廃熱50ｗになる
必要出力から逆算すると、50W出力を得るためには
GaAsは、入力200ｗ、廃熱150ｗになり
GaNなら、入力100ｗ、廃熱50ｗと1/3の廃熱となる
発電側もジェネレーターも素子の効率で同様に変化する