キオクシアが比較的早期に実現可能な容量増加法を考えている
(PLCは主にECC計算コスト含め、まだまだ信頼性に問題がある)
X3.5 NANDとX4.5 NANDの2種類、2個のセルを利用する方式(フラッシュメモリ側に専用回路設計が必要)

X3.5は2セル12レベル、X4.5は2セル24レベルのしきい値を設定
TLCが7レベル、QLCが15レベルなので、X3.5はTLCとQLCの間、X4.5はQLCとPLCの間になる

X3.5は、QLC比で1.6倍の性能向上が見込まれ、QLCよりダイサイズ増加は6.3％程度に収まる
X4.5は、QLCより容量コストが求められるコールドストレージ向き
ただし製造ラインは専用になるので、作るにしても従来のフラッシュメモリと並行して製造されるはず

https://ieeexplore.ieee.org/document/10145980