>>366
遅レスだが、誰も指摘してない間違いがあるようなのでｗ
> 知ってるよ、俗に言われているGaNにすると3倍って話から言えば誤差レベル
3倍は第一世代のGaN素子の話で、そこから3ｄB（約2倍）で6倍という話。
3倍に対し2倍を誤差とはいうのは認識不足だと思われても仕方がない。

GaNもGaSsも半導体素子なので出力限界は熱破壊となり、運用可能温度自体はそう変わらない。
つまり許される熱損失の絶対値はそう変わらない。
双方、同じ周波数で素子あたり100ｗ損失で6倍の出力なら、GaNは60ｗ出力でGaAsは10ｗ出力となる。
双方、発電能力が10ｋｗとすると、
GaNは10*（60/160）　で　3.75ｋｗ　、GaAsは10＊（10/110）で0.91ｋｗ　（これは破壊限界でもある）
従って、 >>362　の
> どちらの素子を使おうと供給電力が同じなら出力は同じで捜査距離も同じ
これは間違いだ。
さらに、戦闘機（特に双発）ではエンジン出力には余裕があり、必要ならジェネレーターの増発は可能だ。

GaNの物性からくるこの周波数帯での理論的な限界値はGaAｓの100倍程度、F-3の頃の素子では更に差は開くと見るのが妥当。
https://www.analog.com/jp/analog-dialogue/articles/rf-power-amplifiers-go-wide-and-high.html#

>>460
君も間違えている。