>>848
> GANが出力高いのはより高い電圧（＝電力）をかけれるから（電界強度が高い）でしょ
同じ電力（電圧*電流）をかけても”　GaAsの4倍程度の電波出力になる。　
根拠は>>752　を読んでくれ
なぜGaAsより大電力をかけても熱破壊されないか考えてみてくれ。
発生する熱（ロス）が少ないからだよ。
素子に与えたエネルギーは電波と熱に変換される、つまり当然、電力効率が高いという結論になる。

> ＧaＮはかけれる電圧が何倍にもなって更に他の情報処理システムの必要電が力増加してるから、Ｆ3世代では必要電力も多くなってる。
> だが一方で既存の戦闘機にはまだ相当の余剰発電能力があるし、仮にGANレーダーにとっかえるだけで出力は大幅に向上できる
> 実際に発電能力が貧弱なグリペンにも交換用GaNレーダーが開発されている。
だから、　”同じ電力をかけても”　GaAsの4倍程度の電波出力になると言っている。（現状でも）
当然、もっと大きな電流も流せるし、実際そうなるだろうと俺も書いたつもりだが？
元は”GaNもGaAsもレーダー性能は変わらない”と言う人への反論だから、
　1，同じ電力でも出力は違う。
　2，戦闘機での電力確保はスペースがボトルネック（新設計の機体では問題になりにくい）
の2点を強調して書いている。