そもそもパワー半導体はGaNが一番優れる訳じゃないからな
Ga2O3はバリガ性能指数がGaNの4倍、加えてGaNより量産化し易いってメリットもある

https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2507/01/news101.html
研究開発段階ではあるが、FLOSFIAがGa2O3でノーマリーオフ特性を持った
パワー半導体を作る事に世界で初めて成功したな
2026年度以降に本格量産開始を計画しているらしい

>なお今回の研究成果は、防衛装備庁「安全保障技術研究推進制度」の支援を受けて得られたものとしている。
防衛装備庁が支援してるのが興味深い
これを使ったレーダーが開発されるのも時間の問題だろうな