中国、完全独自の3D NANDフラッシュメモリ開発　年内量産開始へ


中国・紫光集?は11日(現地時間)、中国・上海ではじめて開かれた“自主品牌博覧会”において、
グループの長江存儲が独自開発したという32層の3D NANDを展示したと発表した。

この32層3D NANDチップは、長江存儲が10億ドル(約110億円)の資金と1,000人の開発者を投入し、2年かけて開発したという。
中国にとって初の独自知的財産権をもった3D NANDフラッシュとなっており、
世界の他社のメインストリーム製品にもっとも近いレベルに引き上げられたものとなる。

長江存儲の製造工場では、すでに機器の導入をはじめており、量産前の体制を整えた。
この32層3D NANDチップは年内にも量産が開始される予定としている。

このほか、同展示会ではSpreadtrumが独自開発したというLTEスマートフォン向けSoC「SC9850KH」も展示した。

CPUコアは独自設計したもので、独立したセキュリティ機能を備えるのも特徴としている。

https://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/1121579.html