■大まかな分類

※USB2.0メモリ、括弧内はUSB3.0対応品
　速い　Read 25(150)MB/s以上　Write 15(100)MB/s以上
　遅い　Read 10(75)MB/s程度　Write　5(25)MB/s程度
　★体感速度はRandom数値が高い方が有利

■NANDフラッシュメモリの種類及び特性

　NANDの特性上、記録には電荷に高電圧を付加し絶縁帯を移動させる為
　素子自体が物理的に破損していく、微細化は絶縁部分が薄くなる
　読込では基本劣化しない、電荷は抜けるので定期的なリフレッシュが必要

　※SLC 1セル1bit、書換可能回数は2xnm＠6万回
　　長所 : 高速、高信頼性、長寿命、エンタープライズ向け
　　短所 : 高価、低容量

　※MLC(TLC) 1セル2bit(3bit)、書換可能回数は1xnm＠3千回(1xnm＠数百回)
　　長所 : 大容量、低価格、コンシューマ向け
　　短所 : 中速(低速)、中信頼性BCH-ECC推奨(低信頼性LDPC-ECC推奨)

　※フラッシュメモリの仕組み
　　http://www.kyoto-sr.co.jp/products/fugue/techinfo/if-intro.html